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三星的3nm良率停留在50%，遠(yuǎn)低于臺(tái)積電的90%

  • 雖然三星在 7nm 和 8nm 等成熟節(jié)點(diǎn)上獲得了牽引力（據(jù)報(bào)道來(lái)自任天堂的訂單），但它繼續(xù)在先進(jìn)的 3nm 水平上苦苦掙扎。據(jù)韓國(guó)媒體 Chosun Biz 報(bào)道，即使經(jīng)過(guò)三年的量產(chǎn)，其 3nm 良率仍保持在 50%。這使得三星更難贏得大型科技公司的信任，Chosun Biz 報(bào)道稱(chēng)，谷歌的 Tensor G5 正在轉(zhuǎn)向臺(tái)積電的 3nm，遠(yuǎn)離三星。正如 9to5Google 所強(qiáng)調(diào)的那樣，據(jù)報(bào)道，這家搜索引擎巨頭已在未來(lái) 3 到 5 年內(nèi)與臺(tái)積電鎖定了 Tenso
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小米雷軍：芯片團(tuán)隊(duì)已具備相當(dāng)強(qiáng)的研發(fā)設(shè)計(jì)實(shí)力

  • 5 月 27 日消息，小米創(chuàng)辦人、董事長(zhǎng)兼 CEO 雷軍今日早發(fā)文：“玄戒 O1 最高主頻 3.9GHz，這足以說(shuō)明我們芯片團(tuán)隊(duì)已經(jīng)具備相當(dāng)強(qiáng)的研發(fā)設(shè)計(jì)實(shí)力?！惫俜綌?shù)據(jù)顯示，小米玄戒 O1 處理器安兔兔跑分超過(guò)了 300 萬(wàn)分，擁有 190 億個(gè)晶體管，采用了全球最先進(jìn)的 3nm 工藝，芯片面積僅 109mm2。架構(gòu)方面，小米玄戒 O1 采用了十核四叢集 CPU，擁有雙超大核、4 顆性能大核、2 顆能效大核、2 顆超級(jí)能效核，超大核最高主頻 3.9Hz，單核跑分超 3000 分，多核跑分超 9
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小米自研3nm“大芯片”已開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)

  • 今天，小米集團(tuán)董事長(zhǎng)雷軍微博宣布小米自主研發(fā)設(shè)計(jì)的3nm制程手機(jī)處理器芯片玄戒O1已開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)，搭載小米玄戒O1兩款旗艦，小米手機(jī)15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米將成為繼蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科后，全球第四家發(fā)布自主研發(fā)設(shè)計(jì)3nm制程手機(jī)處理器芯片的企業(yè)。今年2月，聯(lián)發(fā)科技CEO蔡力行第四季度財(cái)報(bào)會(huì)議上表示，小米自研手機(jī)SoC芯片或?qū)⑼鈷炻?lián)發(fā)科基帶芯片。根據(jù)他的透露，ARM和小米正在促成一項(xiàng)AP芯片的研發(fā)項(xiàng)目，聯(lián)發(fā)科也有參與，并提供調(diào)制解調(diào)器芯片。此前據(jù)外媒WCCFtech報(bào)道，
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小米確認(rèn)推3nm SoC，承諾10 年內(nèi)投69億美元開(kāi)發(fā)芯片

  • 小米最近在宣布其自主開(kāi)發(fā)的智能手機(jī) SoC 芯片 XRING 01 后引起了廣泛關(guān)注。據(jù)中國(guó)媒體《明報(bào)》報(bào)道，小米首席執(zhí)行官雷軍 5 月 19 日在微博上透露，該芯片采用 3nm 工藝制造，這標(biāo)志著中國(guó)公司首次成功實(shí)現(xiàn) 3nm 芯片設(shè)計(jì)的突破。這家中國(guó)科技巨頭正在加大其芯片開(kāi)發(fā)力度。據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道，小米計(jì)劃在至少 10 年內(nèi)投資近 70 億美元用于芯片設(shè)計(jì)。創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官雷軍周一在微博上發(fā)文透露了這一投資數(shù)字。報(bào)告指出，小米發(fā)言人補(bǔ)充說(shuō)，這項(xiàng) 500 億元人民幣（相當(dāng)于 69.4 億美元）的投資
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或有多個(gè)版本！又有小米自研芯跑分曝光：10核3nm設(shè)計(jì)、超驍龍8 Gen 3

  • 5月20日消息，雷軍之前已經(jīng)宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一個(gè)代號(hào)，最終的成品或許會(huì)有多個(gè)版本。如果熟悉芯片設(shè)計(jì)的朋友應(yīng)該都清楚，廠商在規(guī)劃一款芯片設(shè)計(jì)時(shí)，必然會(huì)有多款相關(guān)版本的衍生，所以這更像是一個(gè)大類(lèi)，而非具體到一個(gè)型號(hào)。有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，Geekbench 6.1.0上出現(xiàn)了小米新機(jī)的跑分成績(jī)，而主板信息顯示為"O1_asic"，從跑分上看，該機(jī)的單核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通驍龍8 Gen 3 的成績(jī)還要高一些，可以說(shuō)表現(xiàn)亮眼。跑分頁(yè)面還顯示，該處理器的C
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雷軍發(fā)文確認(rèn)：小米玄戒O1采用第二代3nm工藝制程

  • 5月19日，雷軍微博宣布小米自主研發(fā)設(shè)計(jì)的3nm制程手機(jī)處理器芯片玄戒O1即將亮相。小米將成為繼蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科后，全球第四家發(fā)布自主研發(fā)設(shè)計(jì)3nm制程手機(jī)處理器芯片的企業(yè)?；仡櫫诵∶椎谝淮匝惺謾C(jī)SoC“澎湃S1”的失敗經(jīng)歷，從2014年9月立項(xiàng)，到2017年正式發(fā)布，“因?yàn)榉N種原因，遭遇挫折”，暫停了SoC大芯片的研發(fā)，轉(zhuǎn)向了“小芯片”路線。包含了快充芯片、電池管理芯片、影像芯片、天線增強(qiáng)芯片等“小芯片”，在不同技術(shù)賽道中慢慢積累經(jīng)驗(yàn)和能力。直到2021年初，小米宣布造車(chē)的同時(shí)，還在內(nèi)部重啟“大芯片
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Finwave籌集820萬(wàn)美元短期投資以推動(dòng)市場(chǎng)發(fā)展

  • 美國(guó)馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領(lǐng)投，技術(shù)合作伙伴 GlobalFoundries 戰(zhàn)略參與。Finwave 認(rèn)為，新一輪融資表明投資者和行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者對(duì)其獨(dú)特的硅基氮化鎵技術(shù)的市場(chǎng)潛力充滿信心，因?yàn)樗趶囊约夹g(shù)為中心的創(chuàng)新者轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品驅(qū)動(dòng)型公司。這家科技公司由麻省理工學(xué)院 （MIT） 的研究人員于 2012
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印度，要設(shè)計(jì)3nm芯片了

  • 瑞薩電子將設(shè)計(jì)印度首款3nm 芯片
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高通新一代驍龍?zhí)幚砥骰虿捎门_(tái)積電3納米制程

  • 據(jù)外媒wccftech報(bào)道，高通計(jì)劃在2025年9月舉辦的年度驍龍技術(shù)論壇上推出新一代旗艦處理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。這款處理器預(yù)計(jì)采用臺(tái)積電第三代3納米節(jié)點(diǎn)制程N(yùn)3P打造，相較于前代產(chǎn)品，其性能將有顯著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2將配備全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的處理速度預(yù)計(jì)達(dá)到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的兩倍以上。性能提升的部分原因在于暫存內(nèi)存容量增加至16MB，使
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“最后也是最好的FINFET節(jié)點(diǎn)”

  • 在該公司的北美技術(shù)研討會(huì)上，臺(tái)積電業(yè)務(wù)發(fā)展和海外運(yùn)營(yíng)辦公室高級(jí)副總裁兼聯(lián)合首席運(yùn)營(yíng)官 Kevin Zhang 稱(chēng)其為“最后也是最好的 finfet 節(jié)點(diǎn)”。臺(tái)積電的策略是開(kāi)發(fā) N3 工藝的多種變體，創(chuàng)建一個(gè)全面的、可定制的硅資源?！拔覀兊哪繕?biāo)是讓集成芯片性能成為一個(gè)平臺(tái)，”Zhang 說(shuō)。 截至目前，可用或計(jì)劃中 N3 變體是：N3B：基準(zhǔn) 3nm 工藝。N3E：成本優(yōu)化的版本，具有更少的 EUV 層數(shù)，并且沒(méi)有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強(qiáng)版本，在相
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臺(tái)積電公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好

  • 4月26日消息，在近日舉辦的北美技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首次公開(kāi)了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺(tái)積電沒(méi)有給出具體數(shù)據(jù)，只是比較了幾個(gè)工藝缺陷率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)。臺(tái)積電N2首次引入了GAAFET全環(huán)繞晶體管，目前距離大規(guī)模量產(chǎn)還有2個(gè)季度，也就是要等到年底。N2試產(chǎn)近2個(gè)月來(lái)，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點(diǎn)，同時(shí)顯著優(yōu)于N7/N6、N3/N3P。從試產(chǎn)到量產(chǎn)半年的時(shí)間周期內(nèi)，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產(chǎn)開(kāi)始就低得多了，
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小米新款SoC或采用臺(tái)積電N4P工藝，圖形性能優(yōu)于第二代驍龍8

  • 去年末有報(bào)道稱(chēng)，小米即將迎來(lái)了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產(chǎn)自己設(shè)計(jì)的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對(duì)SoC并不陌生。據(jù)Wccftech報(bào)道，雖然中國(guó)大陸的芯片設(shè)計(jì)公司或許不能采用臺(tái)積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關(guān)的管制措施暫時(shí)沒(méi)有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時(shí)候推出。不過(guò)與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來(lái)說(shuō)是N4P。小米的SoC在C
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臺(tái)積電2nm馬上量產(chǎn)：工廠火力全開(kāi) 蘋(píng)果首發(fā)

  • 3月31日消息，據(jù)媒體報(bào)道，位于新竹和高雄的兩大臺(tái)積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產(chǎn)基地，預(yù)計(jì)今年下半年正式進(jìn)入全面量產(chǎn)階段。在前期試產(chǎn)中，臺(tái)積電已經(jīng)做到了高達(dá)60%的良率表現(xiàn)，待兩大工廠同步投產(chǎn)之后，月產(chǎn)能將攀升至5萬(wàn)片晶圓，最大設(shè)計(jì)產(chǎn)能更可達(dá)8萬(wàn)片。與此同時(shí)，市場(chǎng)對(duì)2nm芯片的需求持續(xù)高漲，最新報(bào)告顯示，僅2025年第三、四季度，臺(tái)積電2納米工藝即可創(chuàng)造301億美元的營(yíng)收，這一數(shù)字凸顯先進(jìn)制程在AI、高性能計(jì)算等領(lǐng)域的強(qiáng)勁需求。作為臺(tái)積電的核心客戶，蘋(píng)果將是臺(tái)積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預(yù)計(jì)iP
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英特爾將在愛(ài)爾蘭工廠大批量生產(chǎn)3nm芯片

  • 據(jù)外媒報(bào)道，英特爾確認(rèn)將于今年晚些時(shí)候在其位于愛(ài)爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產(chǎn)3nm芯片。據(jù)了解，Intel 3是該公司的第二個(gè)EUV光刻節(jié)點(diǎn)，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報(bào)告中表示，該工藝于2024年在美國(guó)俄勒岡州完成首批量產(chǎn)，2025年產(chǎn)能將全面轉(zhuǎn)至愛(ài)爾蘭萊克斯利普工廠。據(jù)介紹，英特爾同步向代工客戶開(kāi)放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯(lián)電合作開(kāi)發(fā)12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
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能生產(chǎn)3nm！中科院成功研發(fā)全固態(tài)DUV光源技術(shù)：完全不同于ASML

  • 快科技3月25日消息，據(jù)悉，中國(guó)科學(xué)院成功研發(fā)除了突破性的固態(tài)DUV(深紫外)激光，可發(fā)射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長(zhǎng)一致，能將半導(dǎo)體工藝推進(jìn)至3nm。據(jù)悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻機(jī)都采用了氟化氙(ArF)準(zhǔn)分子激光技術(shù)，通過(guò)氬、氟氣體混合物在高壓電場(chǎng)下生成不穩(wěn)定分子，釋放出193nm波長(zhǎng)的光子，然后以高能量的短脈沖形式發(fā)射，輸出功率100-120W，頻率8k-9kHz，再通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)調(diào)整，用于光刻設(shè)備。中科院的固態(tài)DUV激光技術(shù)完全基于固態(tài)設(shè)計(jì)，由自制的Yb:YAG晶體放大器
  • 關(guān)鍵字： DUV光刻機(jī)  3nm  
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